SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺杂和热处理对纳ZnO薄膜气敏特性影响
李健; 李海兰; 田野; 宋淑芳
2002
Source Publication传感器技术
Volume21Issue:3Pages:61-64
Abstract用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜,然后在高于450 ℃条件下进行氧化、热处理(玻璃衬底)获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800 ℃温度条件下进行液态源掺杂,获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明,掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善,有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻,同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善。
metadata_83内蒙古大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:964603
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18087
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李健,李海兰,田野,等. 掺杂和热处理对纳ZnO薄膜气敏特性影响[J]. 传感器技术,2002,21(3):61-64.
APA 李健,李海兰,田野,&宋淑芳.(2002).掺杂和热处理对纳ZnO薄膜气敏特性影响.传感器技术,21(3),61-64.
MLA 李健,et al."掺杂和热处理对纳ZnO薄膜气敏特性影响".传感器技术 21.3(2002):61-64.
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