SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体材料研究的新进展
王占国
2002
Source Publication半导体技术
Volume27Issue:3Pages:8-12
Abstract首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。本文未涉及II-VI族宽禁带 与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se_2、CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家基础研究发展规划项目(G2 683 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:976493
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18083
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王占国. 半导体材料研究的新进展[J]. 半导体技术,2002,27(3):8-12.
APA 王占国.(2002).半导体材料研究的新进展.半导体技术,27(3),8-12.
MLA 王占国."半导体材料研究的新进展".半导体技术 27.3(2002):8-12.
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