SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体材料研究的新进展(续)
王占国
2002
Source Publication半导体技术
Volume27Issue:4Pages:8-11
Abstract光学微腔是指具有高品质因子而尺寸与谐振光波长(1)相比拟的光学微型谐振器。随着MBE、MOCVD生长技术和现代微细加工技术发展,设计、制造有实用价值的光学微腔已成为可能,关在低(无)阈值激光器研制方面取得了很大进展。大家知道,当光腔尺度与光波长可比拟时,腔内真空场的光学模式数则大大减小(1个光学模式占有相当于(λ/2n)~3大小体积,n为介质有效折射率)。在理想情况下,若用一个边长为半波长,周界为全反射壁的立方微腔,有可能将一个单模光场分离出来,这为实现低(无)阈值激光器的研制提供了科学依据。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:976695
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18081
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王占国. 半导体材料研究的新进展(续)[J]. 半导体技术,2002,27(4):8-11.
APA 王占国.(2002).半导体材料研究的新进展(续).半导体技术,27(4),8-11.
MLA 王占国."半导体材料研究的新进展(续)".半导体技术 27.4(2002):8-11.
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