SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
注铒a-SiO_x:H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系
陈长勇; 陈维德; 王永谦; 宋淑芳; 许振嘉; 郭少令
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:9Pages:930-934
Abstract采用光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)谱研究了掺铒a-SiO_x:H(a-SiO_x:H)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化。PL谱的测量结果表明:薄膜在1.54μm的Er~(3+)发光和750nm处的可风发光随退火温度有相同的变化趋势,这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系。FTIR谱的分析表明:a-SiO_x:H薄膜是一种两相结构,富硅相镶嵌在富氧相中。两者的成分可近似用a-SiO_(x≈0.3):H和a-SiO_(x≈1.5):H表示,前者性质接近于氢化非晶硅(a-Si:H),后者性质接近于a-SiO_2。富硅相在退火中的变化对Er~(3+)的发光强度有重要影响。
metadata_83中国科学院半导体研究所;中科院上海技术物理所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:976862
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18077
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈长勇,陈维德,王永谦,等. 注铒a-SiO_x:H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系[J]. 半导体学报,2002,23(9):930-934.
APA 陈长勇,陈维德,王永谦,宋淑芳,许振嘉,&郭少令.(2002).注铒a-SiO_x:H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系.半导体学报,23(9),930-934.
MLA 陈长勇,et al."注铒a-SiO_x:H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系".半导体学报 23.9(2002):930-934.
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