SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
大带宽半导体光学放大器的理论分析
张瑞英; 董杰; 张靖; 冯志伟; 王圩
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:9Pages:941-946
Abstract提出一种新型的半导体光学放大器结构,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律。通过剖析该结构中有源区各部分的作用,得出大的张应变的引入主要是用于提高TM模的材料增益,获得偏振不灵敏和大的TE模带宽,减小制备难度。厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量,获得大的偏振不灵敏模式增益。
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心;长春光机学院
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家重点基础研究(编号:G2 683-1),国家自然科学基金(批准号:6989626 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:976936
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18071
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张瑞英,董杰,张靖,等. 大带宽半导体光学放大器的理论分析[J]. 半导体学报,2002,23(9):941-946.
APA 张瑞英,董杰,张靖,冯志伟,&王圩.(2002).大带宽半导体光学放大器的理论分析.半导体学报,23(9),941-946.
MLA 张瑞英,et al."大带宽半导体光学放大器的理论分析".半导体学报 23.9(2002):941-946.
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