掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响
	王文青; 宋淑芳; 艾家和; 韩晓英; 赵金茹; 许宏飞; 史利军
	2002
Source Publication	电子显微学报
Volume	21 Issue:5 Pages:659-660
Abstract	现在普遍采用ITO薄膜(In_2O_3:Sn)作为太阳电池的窗口材料，但由于In资源的稀缺，使太阳能电池的成本增加。Zn-O是一种低成本材料，具有良好的电学、光学特性，因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO/n-Si异质结太阳电池的转化效率为6.9%～8.5%，而ITO光电转换效率为12%～15%，采用液态源掺杂方法，取得较好效果，证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响。在研制过程中，对掺入P、B的纳米Zn薄膜，曾采用X射线衍射议进行分析，其结果未见P、B。
metadata_83	中国兵器工业第五二研究所;中国科学院半导体研究所;北京科技大学
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:981021
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18053
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王文青,宋淑芳,艾家和,等. 掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响[J]. 电子显微学报,2002,21(5):659-660.
APA	王文青.,宋淑芳.,艾家和.,韩晓英.,赵金茹.,...&史利军.(2002).掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响.电子显微学报,21(5),659-660.
MLA	王文青,et al."掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响".电子显微学报 21.5(2002):659-660.

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