SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响
王文青; 宋淑芳; 艾家和; 韩晓英; 赵金茹; 许宏飞; 史利军
2002
Source Publication电子显微学报
Volume21Issue:5Pages:659-660
Abstract现在普遍采用ITO薄膜(In_2O_3:Sn)作为太阳电池的窗口材料,但由于In资源的稀缺,使太阳能电池的成本增加。Zn-O是一种低成本材料,具有良好的电学、光学特性,因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO/n-Si异质结太阳电池的转化效率为6.9%~8.5%,而ITO光电转换效率为12%~15%,采用液态源掺杂方法,取得较好效果,证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响。在研制过程中,对掺入P、B的纳米Zn薄膜,曾采用X射线衍射议进行分析,其结果未见P、B。
metadata_83中国兵器工业第五二研究所;中国科学院半导体研究所;北京科技大学
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:981021
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18053
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王文青,宋淑芳,艾家和,等. 掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响[J]. 电子显微学报,2002,21(5):659-660.
APA 王文青.,宋淑芳.,艾家和.,韩晓英.,赵金茹.,...&史利军.(2002).掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响.电子显微学报,21(5),659-660.
MLA 王文青,et al."掺P、B对纳米Zn-O薄膜电学特性的影响".电子显微学报 21.5(2002):659-660.
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