SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度
沈晓明; 付羿; 冯淦; 张宝顺; 冯志宏; 杨辉
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:10Pages:1093-1097
Abstract尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度。侧向外延是在SiO_2/GaN/GaAs图像形底上进行的,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)进行了观察和分析,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5 * 10~9cm~(-2)降低至生长后的6 * 10~8cm~(-2)。双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为33’和17.8’,表明晶体质量有了较大改善。对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:986330
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18045
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
沈晓明,付羿,冯淦,等. 用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度[J]. 半导体学报,2002,23(10):1093-1097.
APA 沈晓明,付羿,冯淦,张宝顺,冯志宏,&杨辉.(2002).用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度.半导体学报,23(10),1093-1097.
MLA 沈晓明,et al."用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度".半导体学报 23.10(2002):1093-1097.
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