SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
共源-共栅组态S~2I电流存储单元及其性能
李拥平; 石寅
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:10Pages:1106-1111
Abstract针对原型S~2I开关电流存储单元性能上的一些弱点,提出了共源-共栅组态的S~2I电流存储单元(简称CS~2I)新结构,使其关键速度与精度性能得到较好的改善。相同器件尺寸下的CS~2I单元电路相比,后者速度性能提高了1.6倍,两种电路结构同样应用于延迟单元和双采样双线性积分器功能部件的HSPICE仿真表明
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:986378
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18041
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李拥平,石寅. 共源-共栅组态S~2I电流存储单元及其性能[J]. 半导体学报,2002,23(10):1106-1111.
APA 李拥平,&石寅.(2002).共源-共栅组态S~2I电流存储单元及其性能.半导体学报,23(10),1106-1111.
MLA 李拥平,et al."共源-共栅组态S~2I电流存储单元及其性能".半导体学报 23.10(2002):1106-1111.
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