半导体微腔中电偶极子的自发发射

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	半导体微腔中电偶极子的自发发射
	刘文楷; 林世鸣; 曲延峰; 武术; 张存善
	2002
Source Publication	光电子·激光
Volume	13 Issue:1 Pages:12-15
Abstract	由于反射电场的影响，电偶极子在微腔中的自发发射速率不同于自由空间中的自发发射速率。本文采用镜像法计算了理想平面微腔、金属平面镜组成的半导体微腔和由分布布喇格反射镜(DBR)作为谐振腔的垂直发射激光器(VCSEL)中电偶极子的自发发射速率。计算结果表明
metadata_83	中国科学院半导体研究所;中科院半导体所神经网络实验室;河北工业大学电气信息学院
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金资助项目(6989626 ;69937 1 )
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:988914
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18039
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘文楷,林世鸣,曲延峰,等. 半导体微腔中电偶极子的自发发射[J]. 光电子·激光,2002,13(1):12-15.
APA	刘文楷,林世鸣,曲延峰,武术,&张存善.(2002).半导体微腔中电偶极子的自发发射.光电子·激光,13(1),12-15.
MLA	刘文楷,et al."半导体微腔中电偶极子的自发发射".光电子·激光 13.1(2002):12-15.

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