SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体微碟激光器设计原理与工艺制作
吴根柱; 杜宝勋; 杨进华; 任大翠; 张兴德
2002
Source Publication光学学报
Volume22Issue:5Pages:563-567
Abstract用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单,对有效光子状态密度调制较大,是比较理想的半导体微腔激光器。
metadata_83长春光学精密机械学院;中国科学院北京半导体研究所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家兵器预研项目(CHGJ-1998)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:989020
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18037
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吴根柱,杜宝勋,杨进华,等. 半导体微碟激光器设计原理与工艺制作[J]. 光学学报,2002,22(5):563-567.
APA 吴根柱,杜宝勋,杨进华,任大翠,&张兴德.(2002).半导体微碟激光器设计原理与工艺制作.光学学报,22(5),563-567.
MLA 吴根柱,et al."半导体微碟激光器设计原理与工艺制作".光学学报 22.5(2002):563-567.
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