垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析
	张存善; 张延生; 段晓峰; 赵红东; 刘文楷
	2002
Source Publication	光电子·激光
Volume	13 Issue:1 Pages:34-36
Abstract	采用等效法布里-珀罗(F-P)腔方法对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的上、下两层分布布喇格反射(DBR)结构的特性进行了研究，计算并讨论了上、下两层DBR结构在不同对称模型、不同周期数时对微腔结构的反射率的影响。得出反射面DBR结构的周期数为30左右，出光面DBR结构的周期数20左右，易实现激光输出，与实际设计基本一致。
metadata_83	河北工业大学电气信息学院微电子研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:989155
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18033
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张存善,张延生,段晓峰,等. 垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析[J]. 光电子·激光,2002,13(1):34-36.
APA	张存善,张延生,段晓峰,赵红东,&刘文楷.(2002).垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析.光电子·激光,13(1),34-36.
MLA	张存善,et al."垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析".光电子·激光 13.1(2002):34-36.

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