SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析
张存善; 张延生; 段晓峰; 赵红东; 刘文楷
2002
Source Publication光电子·激光
Volume13Issue:1Pages:34-36
Abstract采用等效法布里-珀罗(F-P)腔方法对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的上、下两层分布布喇格反射(DBR)结构的特性进行了研究,计算并讨论了上、下两层DBR结构在不同对称模型、不同周期数时对微腔结构的反射率的影响。得出 反射面DBR结构的周期数为30左右,出光面DBR结构的周期数20左右,易实现激光输出,与实际设计基本一致。
metadata_83河北工业大学电气信息学院微电子研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:989155
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18033
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张存善,张延生,段晓峰,等. 垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析[J]. 光电子·激光,2002,13(1):34-36.
APA 张存善,张延生,段晓峰,赵红东,&刘文楷.(2002).垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析.光电子·激光,13(1),34-36.
MLA 张存善,et al."垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析".光电子·激光 13.1(2002):34-36.
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