窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究
	张瑞英; 董杰; 周帆; 李国华; 边静; 冯志伟; 王圩
	2002
Source Publication	中国激光
Volume	A29 Issue:9 Pages:832-836
Abstract	采用窄条宽选区生长化学气相沉积（NSAG-MOCVD）技术在掩膜宽度0～40 μm范围内，获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料，经推导，获得各个生长区域的组份、应变和In，Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系，并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内，与III族分压比相关，大于阈值掩膜宽度范围内，与III族源无关，此外，对材料富In现象作了合理解释。
metadata_83	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;中国科学院半导体研究所;长春光机学院
Subject Area	半导体化学
Funding Organization	国家973项目（编号：G2 683-1）,国家自然科学基金（编号：6989626 ）资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:989249
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18027
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张瑞英,董杰,周帆,等. 窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究[J]. 中国激光,2002,A29(9):832-836.
APA	张瑞英.,董杰.,周帆.,李国华.,边静.,...&王圩.(2002).窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究.中国激光,A29(9),832-836.
MLA	张瑞英,et al."窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究".中国激光 A29.9(2002):832-836.

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