SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究
张瑞英; 董杰; 周帆; 李国华; 边静; 冯志伟; 王圩
2002
Source Publication中国激光
VolumeA29Issue:9Pages:832-836
Abstract采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0~40 μm范围内,获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与III族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与III族源无关,此外,对材料富In现象作了合理解释。
metadata_83中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;中国科学院半导体研究所;长春光机学院
Subject Area半导体化学
Funding Organization国家973项目(编号:G2 683-1),国家自然科学基金(编号:6989626 )资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:989249
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18027
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张瑞英,董杰,周帆,等. 窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究[J]. 中国激光,2002,A29(9):832-836.
APA 张瑞英.,董杰.,周帆.,李国华.,边静.,...&王圩.(2002).窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究.中国激光,A29(9),832-836.
MLA 张瑞英,et al."窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究".中国激光 A29.9(2002):832-836.
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