SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构
刘相华; 陈猛; 刘忠立; 王曦
2002
Source Publication功能材料与器件学报
Volume8Issue:3Pages:228-232
Abstract将氮和氧离子在不同能量不依次注入于硅片,并经1200 ℃,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si_2O夹心埋层的SOI结构。其击穿场强最大为5 * 10~6V/cm,与普通剂量SIMOX的相当。测试还发现氮在界面处有明显的富集效应,而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的。
metadata_83中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家自然科学基金委员会国家杰出青年基金的资助(No. 599252 5)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:995512
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18011
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘相华,陈猛,刘忠立,等. 不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构[J]. 功能材料与器件学报,2002,8(3):228-232.
APA 刘相华,陈猛,刘忠立,&王曦.(2002).不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构.功能材料与器件学报,8(3),228-232.
MLA 刘相华,et al."不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构".功能材料与器件学报 8.3(2002):228-232.
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