SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料
孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
2002
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume22Issue:2Pages:202-204
Abstract用自组装的氮源分子束外延(NH_3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)系统在C面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGaN/GaN二维电子气材料。GaN膜(1.2 μm厚)室温电子迁移率达300 cm~2/V·s,背景电子浓度低至2 * 10~(17) cm~(-3)。双晶X射线衍射(0002)摇摆曲线半高宽为6 arcmin。AlGaN/GaN二维电子气材料最高的室温和77 K二维电子气电子迁移率分别为730 cm~2/V·s和1200 cm~2/V·s,相应的电子面密度分别是7.6 * 10~(12) cm~(-2)和7.1 * 10~(12) cm~(-2);用所外延的AlGaN/GaN二维电子气材料制备出了性能良好的AlGaN/GaN HFET(异质结场效应晶体管),室温跨导为50 mS/mm(栅长1 μm),截止频率达13 GHz(栅长0.5 μm)。该器件在300 ℃出现明显的并联电导,这可能是材料中的深中心在高温被激活所致。
metadata_83中国科学院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:995528
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18007
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙殿照,王晓亮,胡国新,等. 分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(2):202-204.
APA 孙殿照.,王晓亮.,胡国新.,王军喜.,刘宏新.,...&林兰英.(2002).分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料.固体电子学研究与进展,22(2),202-204.
MLA 孙殿照,et al."分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料".固体电子学研究与进展 22.2(2002):202-204.
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