SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
光电子材料InP玷污的研究
徐建成; 丁小平; 陈定钦
2002
Source Publication光谱学与光谱分析
Volume22Issue:4Pages:550-551
Abstract文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析。在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明玷污主要来自硅。
metadata_83首都师范大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:996479
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18003
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
徐建成,丁小平,陈定钦. 光电子材料InP玷污的研究[J]. 光谱学与光谱分析,2002,22(4):550-551.
APA 徐建成,丁小平,&陈定钦.(2002).光电子材料InP玷污的研究.光谱学与光谱分析,22(4),550-551.
MLA 徐建成,et al."光电子材料InP玷污的研究".光谱学与光谱分析 22.4(2002):550-551.
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