光电子材料InP玷污的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	光电子材料InP玷污的研究
	徐建成; 丁小平; 陈定钦
	2002
Source Publication	光谱学与光谱分析
Volume	22 Issue:4 Pages:550-551
Abstract	文章给出了光电子材料InP的（100）和（111）晶面质谱分析的结果，对（100）晶面做了光荧光分析。在300和77 K温度下测量了（100）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明玷污主要来自硅。
metadata_83	首都师范大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:996479
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18003
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	徐建成,丁小平,陈定钦. 光电子材料InP玷污的研究[J]. 光谱学与光谱分析,2002,22(4):550-551.
APA	徐建成,丁小平,&陈定钦.(2002).光电子材料InP玷污的研究.光谱学与光谱分析,22(4),550-551.
MLA	徐建成,et al."光电子材料InP玷污的研究".光谱学与光谱分析 22.4(2002):550-551.

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