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光电子材料InP玷污的研究 | |
徐建成; 丁小平; 陈定钦 | |
2002 | |
Source Publication | 光谱学与光谱分析
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Volume | 22Issue:4Pages:550-551 |
Abstract | 文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析。在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明玷污主要来自硅。 |
metadata_83 | 首都师范大学物理系;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:996479 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18003 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐建成,丁小平,陈定钦. 光电子材料InP玷污的研究[J]. 光谱学与光谱分析,2002,22(4):550-551. |
APA | 徐建成,丁小平,&陈定钦.(2002).光电子材料InP玷污的研究.光谱学与光谱分析,22(4),550-551. |
MLA | 徐建成,et al."光电子材料InP玷污的研究".光谱学与光谱分析 22.4(2002):550-551. |
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