SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
冯淦; 郑新和; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾; 郑文莉; 贾全杰
2002
Source Publication核技术
Volume25Issue:10Pages:770-774
Abstract采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时,还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。
metadata_83中国科学院半导体研究所;中科院高能物理所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1002326
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17999
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
冯淦,郑新和,王玉田,等. 横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究[J]. 核技术,2002,25(10):770-774.
APA 冯淦.,郑新和.,王玉田.,杨辉.,梁骏吾.,...&贾全杰.(2002).横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究.核技术,25(10),770-774.
MLA 冯淦,et al."横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究".核技术 25.10(2002):770-774.
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