SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
方再利; 李国华; 韩和相; 丁琨; 陈晔; 彭中灵; 袁诗鑫
2002
Source Publication红外与毫米波学报
Volume21Issue:1Pages:28-32
Abstract测量了ZnSe_(0.92)Te_(0.08)/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0~7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到AnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)_1/(ZnSe)_3短周期超晶格之间的转移现象。
metadata_83中国科学院半导研究所;中国科学院上海技术物理研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号69776 12)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1002842
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17997
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
方再利,李国华,韩和相,等. AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2002,21(1):28-32.
APA 方再利.,李国华.,韩和相.,丁琨.,陈晔.,...&袁诗鑫.(2002).AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究.红外与毫米波学报,21(1),28-32.
MLA 方再利,et al."AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究".红外与毫米波学报 21.1(2002):28-32.
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