硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析
	邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明
	2002
Source Publication	半导体学报
Volume	23 Issue:11 Pages:1196-1200
Abstract	使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布，结果表明波导主要受横向压应力影响，而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近。根据波导的应力分布，得出波导的折射率分布，并使用ADI全矢量方法示解出波导的模式折射率。比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金（批准号
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1007486
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17989
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	邓晓清,杨沁清,王红杰,等. 硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析[J]. 半导体学报,2002,23(11):1196-1200.
APA	邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,&王启明.(2002).硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析.半导体学报,23(11),1196-1200.
MLA	邓晓清,et al."硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析".半导体学报 23.11(2002):1196-1200.

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