SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析
邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:11Pages:1196-1200
Abstract使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布,结果表明波导主要受横向压应力影响,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近。根据波导的应力分布,得出波导的折射率分布,并使用ADI全矢量方法示解出波导的模式折射率。比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1007486
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17989
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
邓晓清,杨沁清,王红杰,等. 硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析[J]. 半导体学报,2002,23(11):1196-1200.
APA 邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,&王启明.(2002).硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析.半导体学报,23(11),1196-1200.
MLA 邓晓清,et al."硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析".半导体学报 23.11(2002):1196-1200.
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