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硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析 | |
邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明 | |
2002 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 23Issue:11Pages:1196-1200 |
Abstract | 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布,结果表明波导主要受横向压应力影响,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近。根据波导的应力分布,得出波导的折射率分布,并使用ADI全矢量方法示解出波导的模式折射率。比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1007486 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17989 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 邓晓清,杨沁清,王红杰,等. 硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析[J]. 半导体学报,2002,23(11):1196-1200. |
APA | 邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,&王启明.(2002).硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析.半导体学报,23(11),1196-1200. |
MLA | 邓晓清,et al."硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析".半导体学报 23.11(2002):1196-1200. |
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