GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
	梁晓甘; 江德生; 边历峰; 潘钟; 李联合; 吴荣汉
	2002
Source Publication	半导体学报
Volume	23 Issue:12 Pages:1281-1285
Abstract	研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光（PL）谱以及光调制反射（PR）谱。发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系，而是呈现出反常的S型温度依赖关系。进一步测量，特别是在较低的激发光功率密度下，发现有两个不同来源的发光峰，它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光。随温度变化，这两个发光峰相对强度发生变化，造成主峰（最强的峰）的位置发生切换，从而导致表观上的S型温度依赖关系。采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	中国科学院纳米科学与技术（批准号：2989 217）,国家自然科学基金（批准号：69876 37）资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1010708
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17985
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	梁晓甘,江德生,边历峰,等. GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱[J]. 半导体学报,2002,23(12):1281-1285.
APA	梁晓甘,江德生,边历峰,潘钟,李联合,&吴荣汉.(2002).GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱.半导体学报,23(12),1281-1285.
MLA	梁晓甘,et al."GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱".半导体学报 23.12(2002):1281-1285.

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