SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析
邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:12Pages:1303-1307
Abstract使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性。结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性。采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀系数失配造成的压应力,可以影响芯区附近的应力分布,但是只有释放槽的深度达到一定值时才能改善波导的偏振相关性,增大槽的宽度也在一定程度改善偏振相关性,但效果较差。调节波导上包层的热膨胀系数可以很好的解决波导的偏振相关问题,而调节波导的其它层的热膨胀系数对波导的偏振相关作用较小。
metadata_83中国科学院半导体研究所光电研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1010805
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17983
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
邓晓清,杨沁清,王红杰,等. 硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析[J]. 半导体学报,2002,23(12):1303-1307.
APA 邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,&王启明.(2002).硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析.半导体学报,23(12),1303-1307.
MLA 邓晓清,et al."硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析".半导体学报 23.12(2002):1303-1307.
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