SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响
严清峰; 余金中
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:12Pages:1308-1312
Abstract分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响,并提出了改进器件性能的一些措施。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6999 54 ),国家自然科学基金(批准号:6989626 ),国家重点基础研究发展规划(No. G2 - 3-66)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1010818
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17981
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
严清峰,余金中. 载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响[J]. 半导体学报,2002,23(12):1308-1312.
APA 严清峰,&余金中.(2002).载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响.半导体学报,23(12),1308-1312.
MLA 严清峰,et al."载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响".半导体学报 23.12(2002):1308-1312.
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