载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响
	严清峰; 余金中
	2002
Source Publication	半导体学报
Volume	23 Issue:12 Pages:1308-1312
Abstract	分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响，并提出了改进器件性能的一些措施。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金（批准号：6999 54 ）,国家自然科学基金（批准号：6989626 ）,国家重点基础研究发展规划（No. G2 - 3-66）资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1010818
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17981
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	严清峰,余金中. 载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响[J]. 半导体学报,2002,23(12):1308-1312.
APA	严清峰,&余金中.(2002).载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响.半导体学报,23(12),1308-1312.
MLA	严清峰,et al."载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响".半导体学报 23.12(2002):1308-1312.

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