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载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响 | |
严清峰; 余金中 | |
2002 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 23Issue:12Pages:1308-1312 |
Abstract | 分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响,并提出了改进器件性能的一些措施。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号:6999 54 ),国家自然科学基金(批准号:6989626 ),国家重点基础研究发展规划(No. G2 - 3-66)资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1010818 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17981 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 严清峰,余金中. 载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响[J]. 半导体学报,2002,23(12):1308-1312. |
APA | 严清峰,&余金中.(2002).载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响.半导体学报,23(12),1308-1312. |
MLA | 严清峰,et al."载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响".半导体学报 23.12(2002):1308-1312. |
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