SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体纳米结构的可控生长
王占国
2002
Source Publication人工晶体学报
Volume31Issue:3Pages:208-217
Abstract应用MBE技术和SK生长模式,通过对研究材料体系的应力分布设计,生长动力学研究和生长工艺优化,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点(线)的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长,这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家基础研究规划项目(G2 683 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1016399
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17975
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王占国. 半导体纳米结构的可控生长[J]. 人工晶体学报,2002,31(3):208-217.
APA 王占国.(2002).半导体纳米结构的可控生长.人工晶体学报,31(3),208-217.
MLA 王占国."半导体纳米结构的可控生长".人工晶体学报 31.3(2002):208-217.
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