SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储
彭进; 胡冰; 胡承勇; 卞松保; 杨富华; 郑厚植
2002
Source Publication人工晶体学报
Volume31Issue:4Pages:361-364
Abstract利用GaAs量子阱中Γ谷速缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反方向扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实。如果将我们的器件用作存储单元,预期可以获得很长的存储时间T_s。同时,由于Γ-X混合隧穿速率很快,光子“读出”仍可以保持很快。
metadata_83中国科学院半导体研究所;超晶格国家重点实验室
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究计划项目(G 1CB3 95),中国自然科学基金(6 76 26)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1016429
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17973
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
彭进,胡冰,胡承勇,等. 利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储[J]. 人工晶体学报,2002,31(4):361-364.
APA 彭进,胡冰,胡承勇,卞松保,杨富华,&郑厚植.(2002).利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储.人工晶体学报,31(4),361-364.
MLA 彭进,et al."利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储".人工晶体学报 31.4(2002):361-364.
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