SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
孔云川; 周大勇; 澜清; 刘金龙; 苗振华; 封松林; 牛智川
2002
Source Publication人工晶体学报
Volume31Issue:6Pages:551-554
Abstract用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明,由于能态填充效应的影响,适当增大量子点发光器件有源区长度,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金(No. 6 176 6),国家自然科学基金(No. 6 2541 ),中国科学院纳米科学与技术资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1016439
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17971
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孔云川,周大勇,澜清,等. 1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究[J]. 人工晶体学报,2002,31(6):551-554.
APA 孔云川.,周大勇.,澜清.,刘金龙.,苗振华.,...&牛智川.(2002).1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究.人工晶体学报,31(6),551-554.
MLA 孔云川,et al."1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究".人工晶体学报 31.6(2002):551-554.
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