SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究
李昱峰; 陈振; 韩培德; 王占国
2002
Source Publication人工晶体学报
Volume31Issue:5Pages:451-455
Abstract采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石(0001)面(即C面)和蓝宝石(1(1-bar)02)面(即R面)上形成了InGaN量子点,并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm,高约15nm;而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大。R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比,其PL谱不仅强度高,而且没有多峰结构。这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场,而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[11(2-bar)0]没有内建电场。InGaN量子点变温光致发光(PL)谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象,这是量子点系统所特有的PL谱特征。用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响,得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(No.6 86 1),国家重点基础研究专项经费(No.G2 683)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1016453
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17969
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李昱峰,陈振,韩培德,等. R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究[J]. 人工晶体学报,2002,31(5):451-455.
APA 李昱峰,陈振,韩培德,&王占国.(2002).R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究.人工晶体学报,31(5),451-455.
MLA 李昱峰,et al."R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究".人工晶体学报 31.5(2002):451-455.
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