SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI梯形截面光波导的模式分析
王小龙; 余金中; 陈少武
2002
Source Publication光电子·激光
Volume13Issue:11Pages:1120-1123
Abstract采用有效折射率和转移矩阵理论相结合的方法得到了SOI梯形光波导的本征模方程。计算得到的有效折射率与WKB法相比误差不超过10~(-5),其垂直方向电场分布与BPM模拟结果基本相符。首次得到了SOI梯形波导的单模曲线和其近似解析表达式,此结果与修正的WKB法一致。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(6989626 ),国家自然科学基金资助项目(6999 54 ),“973”计划资助项目(G2 366)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1021498
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17963
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王小龙,余金中,陈少武. SOI梯形截面光波导的模式分析[J]. 光电子·激光,2002,13(11):1120-1123.
APA 王小龙,余金中,&陈少武.(2002).SOI梯形截面光波导的模式分析.光电子·激光,13(11),1120-1123.
MLA 王小龙,et al."SOI梯形截面光波导的模式分析".光电子·激光 13.11(2002):1120-1123.
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