SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
双折射对基于半导体光放大器的干涉型器件性能影响的模拟分析研究
黄黎蓉; 黄德修; 黄永箴
2003
Source Publication光学学报
Volume23Issue:4Pages:407-411
Abstract分析了半导体光放大器中双折射对基于半导体光放大器的干涉型器件性能的影响,对基于半导体光放大器的马赫-曾德尔型波长转换器的理论计算表明,当半导体光放大器有双折射存在时,消光比不仅要比无双折射的要低,而且还随着探测光的偏振态而改变,变化幅度可大于10 dB。提出了减小双折射对干涉型器件影响的方案,并且分析了实现对增益和对相位变化同时具有偏振不灵敏的半导体光放大器的可能性。
metadata_83华中科技大学光电子工程系;中科院半导体所光电研发中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家973基金(G2 366 5)资助课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1037450
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17955
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄黎蓉,黄德修,黄永箴. 双折射对基于半导体光放大器的干涉型器件性能影响的模拟分析研究[J]. 光学学报,2003,23(4):407-411.
APA 黄黎蓉,黄德修,&黄永箴.(2003).双折射对基于半导体光放大器的干涉型器件性能影响的模拟分析研究.光学学报,23(4),407-411.
MLA 黄黎蓉,et al."双折射对基于半导体光放大器的干涉型器件性能影响的模拟分析研究".光学学报 23.4(2003):407-411.
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