SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质
殷景志; 刘素萍; 刘宗顺; 王新强; 殷宗友; 李正庭; 杨树人; 杜国同
2003
Source Publication中国激光
Volume30Issue:1Pages:53-56
Abstract研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性,实现了偏振灵敏度小于0.5 dB,100 mA偏置时可达0.1 dB。在较大的电流范围内,峰的半高全宽(FWHM)为40 nm。
metadata_83吉林大学电子工程系;中国科学院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重大项目(编号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1037728
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17949
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
殷景志,刘素萍,刘宗顺,等. 适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质[J]. 中国激光,2003,30(1):53-56.
APA 殷景志.,刘素萍.,刘宗顺.,王新强.,殷宗友.,...&杜国同.(2003).适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质.中国激光,30(1),53-56.
MLA 殷景志,et al."适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质".中国激光 30.1(2003):53-56.
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