一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
	严清峰; 余金中
	2003
Source Publication	光子学报
Volume	32 Issue:5 Pages:555-558
Abstract	在超紧缩双曲锥形3 dB多模干涉耦合器的基础上，设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器。与传统的Y分支器相比，双曲锥形3 dB耦合器的制作容差大，而长度缩短了近30％，使得整个器件的尺寸大幅减小。调制区采用横向注入的PIN结构，模拟结果表明
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学重大基金（6999 54 ，6989626 ）,“九七三”（G2 366）资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1037741
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:6[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17947
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	严清峰,余金中. 一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计[J]. 光子学报,2003,32(5):555-558.
APA	严清峰,&余金中.(2003).一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计.光子学报,32(5),555-558.
MLA	严清峰,et al."一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计".光子学报 32.5(2003):555-558.

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