一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
	严清峰; 余金中
	2003
Source Publication	光子学报
Volume	32 Issue:5 Pages:555-558
Abstract	在超紧缩双曲锥形3 dB多模干涉耦合器的基础上，设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器。与传统的Y分支器相比，双曲锥形3 dB耦合器的制作容差大，而长度缩短了近30％，使得整个器件的尺寸大幅减小。调制区采用横向注入的PIN结构，模拟结果表明
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学重大基金（6999 54 ，6989626 ）,“九七三”（G2 366）资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1037741
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17947
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	严清峰,余金中. 一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计[J]. 光子学报,2003,32(5):555-558.
APA	严清峰,&余金中.(2003).一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计.光子学报,32(5),555-558.
MLA	严清峰,et al."一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计".光子学报 32.5(2003):555-558.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库