微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化
	张世斌; 孔光临; 徐艳月; 王永谦; 刁宏伟; 廖显伯
	2002
Source Publication	物理学报
Volume	51 Issue:1 Pages:111-114
Abstract	利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢烯释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量，并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响。发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合，说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用，估算了陷阱能级的位置。曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降，而且还有所上升，薄膜的光敏性有所改善。很可能曝光过程引起了硼受主的退激活，导致费米能级向导带边移动，使有效地复合中心减少，样品的光电导上升。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家重点基础研究发展规划项目（批准号
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1048399
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17935
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张世斌,孔光临,徐艳月,等. 微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化[J]. 物理学报,2002,51(1):111-114.
APA	张世斌,孔光临,徐艳月,王永谦,刁宏伟,&廖显伯.(2002).微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化.物理学报,51(1),111-114.
MLA	张世斌,et al."微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化".物理学报 51.1(2002):111-114.

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