SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究
李国华; 方再利; 丁琨; 韩和相; 曾美思; 王建农; 葛惟锟; 潘钟; 李联合; 吴荣汉
2002
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume22Issue:4Pages:399-403
Abstract在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光,发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化,但计算结果与实验结果相差甚大,表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。
metadata_83中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(6 176 8),香港RGC基金(HKUST6125/98P),国家攀登项目(G2 366 3)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1072270
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17931
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李国华,方再利,丁琨,等. GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(4):399-403.
APA 李国华.,方再利.,丁琨.,韩和相.,曾美思.,...&吴荣汉.(2002).GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究.固体电子学研究与进展,22(4),399-403.
MLA 李国华,et al."GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究".固体电子学研究与进展 22.4(2002):399-403.
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