SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究
陈涌海; 叶小玲; 王占国
2002
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume22Issue:4Pages:412-416
Abstract在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了GaAs/AlGs、InGaAs/GaAs和InGaAs/InP三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现GaAs/AlGaAs量子阱1h→1e跃迁的偏振度与阱宽成反比,与InGaAs/InP量子阱的报道结果类似。Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反,InGaAs/GaAs量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比,目前还不能很好地解释这种现象。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金699 6 3,国家重点基础研究专项经费G2 683资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1072272
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17929
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
陈涌海,叶小玲,王占国. 量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(4):412-416.
APA 陈涌海,叶小玲,&王占国.(2002).量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究.固体电子学研究与进展,22(4),412-416.
MLA 陈涌海,et al."量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究".固体电子学研究与进展 22.4(2002):412-416.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5011.pdf(369KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[陈涌海]'s Articles
[叶小玲]'s Articles
[王占国]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[陈涌海]'s Articles
[叶小玲]'s Articles
[王占国]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[陈涌海]'s Articles
[叶小玲]'s Articles
[王占国]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.