SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率
潘留仙; 刘金龙; 李树深; 牛智川; 封松林; s郑厚植
2002
Source Publication中国科学. A辑,数学
Volume32Issue:6Pages:556-559
Abstract在有效质量包络函数理论近似下,计算了InAs/GaAs量子点的参数相图,确切定义了InAs/GaAs量子点的参数的范围,使得该量子点能作为二能级量子系统用于量子计算;发现静电场能够有效延长消相干时间,当外加静电场超过20kV/cm时,消相干时间能够达到毫秒量级。这些结果有助于未来实现固态量子计算。
metadata_83湖南益阳师范高等专科学校;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1077256
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17925
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
潘留仙,刘金龙,李树深,等. InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率[J]. 中国科学. A辑,数学,2002,32(6):556-559.
APA 潘留仙,刘金龙,李树深,牛智川,封松林,&s郑厚植.(2002).InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率.中国科学. A辑,数学,32(6),556-559.
MLA 潘留仙,et al."InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率".中国科学. A辑,数学 32.6(2002):556-559.
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