Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率 | |
潘留仙; 刘金龙; 李树深; 牛智川 ; 封松林; s郑厚植
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| 2002 | |
| Source Publication | 中国科学. A辑，数学
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| Volume | 32Issue:6Pages:556-559 |
| Abstract | 在有效质量包络函数理论近似下，计算了InAs/GaAs量子点的参数相图，确切定义了InAs/GaAs量子点的参数的范围，使得该量子点能作为二能级量子系统用于量子计算；发现静电场能够有效延长消相干时间，当外加静电场超过20kV/cm时，消相干时间能够达到毫秒量级。这些结果有助于未来实现固态量子计算。 |
| metadata_83 | 湖南益阳师范高等专科学校;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金（批准号 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1077256 |
| Date Available | 2010-11-23 |
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17925 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 潘留仙,刘金龙,李树深,等. InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率[J]. 中国科学. A辑，数学,2002,32(6):556-559. |
| APA | 潘留仙,刘金龙,李树深,牛智川,封松林,&s郑厚植.(2002).InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率.中国科学. A辑，数学,32(6),556-559. |
| MLA | 潘留仙,et al."InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率".中国科学. A辑，数学 32.6(2002):556-559. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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