SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
清洗后硅片表面的电子结构
曹宝成; 于新好; 马谨; 马洪磊; 刘忠立
2002
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume22Issue:4Pages:496-499
Abstract介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等,把它和标准RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成,它们分别以Si-O健、C-O健和Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层,在硅片表面都存在有机碳污染,但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面,新型半导体清洗技术清洗明显优于标准RCA清洗技术。
metadata_83山东大学光电材料与器件研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(批准号6 176 32)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1120132
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17923
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
曹宝成,于新好,马谨,等. 清洗后硅片表面的电子结构[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(4):496-499.
APA 曹宝成,于新好,马谨,马洪磊,&刘忠立.(2002).清洗后硅片表面的电子结构.固体电子学研究与进展,22(4),496-499.
MLA 曹宝成,et al."清洗后硅片表面的电子结构".固体电子学研究与进展 22.4(2002):496-499.
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