SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
孙元平; 付羿; 渠波; 王玉田; 冯玉宏; 赵德刚; 郑新和; 段俐宏; 李秉臣; 张书明; 杨辉; 姜晓明; 郑文莉; 贾全杰
2002
Source Publication中国科学. E辑,技术科学
Volume32Issue:5Pages:584-589
Abstract利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD(x射线衍射)结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心;中国科学院高能物理研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家“八六三”计划基金,国家杰出青年基金,国家自然科学基金-RGC联合基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1123227
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17917
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙元平,付羿,渠波,等. GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术[J]. 中国科学. E辑,技术科学,2002,32(5):584-589.
APA 孙元平.,付羿.,渠波.,王玉田.,冯玉宏.,...&贾全杰.(2002).GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术.中国科学. E辑,技术科学,32(5),584-589.
MLA 孙元平,et al."GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术".中国科学. E辑,技术科学 32.5(2002):584-589.
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