SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性
沈晓明; 渠波; 冯志宏; 杨辉
2002
Source Publication广西大学学报. 自然科学版
Volume27Issue:3Pages:252-255
Abstract通过TEM截面像和平面像的观察,对于用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)法在GaAs(001)衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明,在立方GaN/GaAs(001)外延层中存在很高密度的堆垛层错,层错密度及其宽度在相互垂直的(110)方向上有明显的差异,闪锌矿结构中α位错与β位错间的差异可能是层错出现非对称性的原因。
metadata_83广西大学理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家杰出青年科学基金(698251 7),NSFC-RGC联合基金(5 1161953,N_HKU 28/ )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1128649
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17913
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
沈晓明,渠波,冯志宏,等. 立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性[J]. 广西大学学报. 自然科学版,2002,27(3):252-255.
APA 沈晓明,渠波,冯志宏,&杨辉.(2002).立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性.广西大学学报. 自然科学版,27(3),252-255.
MLA 沈晓明,et al."立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性".广西大学学报. 自然科学版 27.3(2002):252-255.
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