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GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 | |
冯淦; 郑新和; 朱建军![]() ![]() ![]() | |
2002 | |
Source Publication | 中国科学. A辑,数学
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Volume | 32Issue:8Pages:737-742 |
Abstract | 采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中G N(002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息。该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰。作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号:698251 7),国家杰现青年基金,NSFC-RGC联合基金(批准号:5 1161953,N-HKU 28/ )资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1131800 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17909 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 冯淦,郑新和,朱建军,等. GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制[J]. 中国科学. A辑,数学,2002,32(8):737-742. |
APA | 冯淦.,郑新和.,朱建军.,沈晓明.,张宝顺.,...&梁骏吾.(2002).GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制.中国科学. A辑,数学,32(8),737-742. |
MLA | 冯淦,et al."GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制".中国科学. A辑,数学 32.8(2002):737-742. |
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