GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制
	冯淦; 郑新和; 朱建军; 沈晓明; 张宝顺; 赵德刚; 孙元平; 张泽洪; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
	2002
Source Publication	中国科学. A辑，数学
Volume	32 Issue:8 Pages:737-742
Abstract	采用双晶X射线衍射（DC－XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层，发现XRD中G N(002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息。该衍射信息起初为一个很宽的峰，随着选择性腐蚀的进行，会先分裂为两个峰，最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后，其中一个衍射峰会消失，而只剩下一个很窄的峰。作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金（批准号：698251 7）,国家杰现青年基金,NSFC-RGC联合基金（批准号：5 1161953，N-HKU 28/ ）资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1131800
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17909
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	冯淦,郑新和,朱建军,等. GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制[J]. 中国科学. A辑，数学,2002,32(8):737-742.
APA	冯淦.,郑新和.,朱建军.,沈晓明.,张宝顺.,...&梁骏吾.(2002).GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制.中国科学. A辑，数学,32(8),737-742.
MLA	冯淦,et al."GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制".中国科学. A辑，数学 32.8(2002):737-742.

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