SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制
冯淦; 郑新和; 朱建军; 沈晓明; 张宝顺; 赵德刚; 孙元平; 张泽洪; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
2002
Source Publication中国科学. A辑,数学
Volume32Issue:8Pages:737-742
Abstract采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中G N(002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息。该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰。作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:698251 7),国家杰现青年基金,NSFC-RGC联合基金(批准号:5 1161953,N-HKU 28/ )资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1131800
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17909
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
冯淦,郑新和,朱建军,等. GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制[J]. 中国科学. A辑,数学,2002,32(8):737-742.
APA 冯淦.,郑新和.,朱建军.,沈晓明.,张宝顺.,...&梁骏吾.(2002).GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制.中国科学. A辑,数学,32(8),737-742.
MLA 冯淦,et al."GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制".中国科学. A辑,数学 32.8(2002):737-742.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5001.pdf(739KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[冯淦]'s Articles
[郑新和]'s Articles
[朱建军]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[冯淦]'s Articles
[郑新和]'s Articles
[朱建军]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[冯淦]'s Articles
[郑新和]'s Articles
[朱建军]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.