SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进
王启明
2002
Source Publication物理学进展
Volume22Issue:4Pages:359-370
Abstract自1991年Canham L. T发现多孔Si的强发光特性之后,Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程。人们从中认请了一些重要的科学问题,发展和掌握了许多新的技术,也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的10年是处於四方探索的百花齐放阶段。现在夫论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径,都更加明确、集中,一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即将来临。本文着重评述介绍了四个方面的研究进展,即局域态nc-Si的发光,基於能带工程的Si基发光,纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究,指出了各自存在的问题,提出了若干新的研究思路。本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合,由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重大项目(No.6989626 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1145559
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17901
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王启明. 纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进[J]. 物理学进展,2002,22(4):359-370.
APA 王启明.(2002).纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进.物理学进展,22(4),359-370.
MLA 王启明."纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进".物理学进展 22.4(2002):359-370.
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