SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究
卢励吾; 王占国; Yang C L; Wang J; Ma Z H; Sou I K; Ge Weikun
2002
Source Publication物理学报
Volume51Issue:2Pages:310-314
Abstract分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术说细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为。光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理。两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据。电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置。深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致。
metadata_83中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6 76 8),国家重点基础研究发展项目(批准号:G2 683),香港科技大学(批准号:HKUST6135/97P)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1145936
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17897
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
卢励吾,王占国,Yang C L,等. 分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究[J]. 物理学报,2002,51(2):310-314.
APA 卢励吾.,王占国.,Yang C L.,Wang J.,Ma Z H.,...&Ge Weikun.(2002).分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究.物理学报,51(2),310-314.
MLA 卢励吾,et al."分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究".物理学报 51.2(2002):310-314.
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