SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合
刘文楷; 林世鸣; 张存善
2002
Source Publication物理学报
Volume51Issue:9Pages:2052-2056
Abstract采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子耦合所形成的三支腔极化激元的能量,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别三支腔极化激元中所占的权重,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象,同时,腔模和重穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势。
metadata_83中国科学院半导体研究所;河北工业大学电气信息学院
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1145958
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17895
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘文楷,林世鸣,张存善. 半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合[J]. 物理学报,2002,51(9):2052-2056.
APA 刘文楷,林世鸣,&张存善.(2002).半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合.物理学报,51(9),2052-2056.
MLA 刘文楷,et al."半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合".物理学报 51.9(2002):2052-2056.
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