SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
卢励吾; 张砚华; 徐遵图; 徐仲英; 王占国; Wang J; Ge Weikun
2002
Source Publication物理学报
Volume51Issue:2Pages:367-371
Abstract研究分子束外延(MBE)生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应。结果表明,RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射。同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度。RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加。这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一。
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所光电子工程中心;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6 76 8),国家重点基础研究发展项目(批准号:G2 683),香港科技大学HKUST6135/97P资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1146127
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17891
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
卢励吾,张砚华,徐遵图,等. 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响[J]. 物理学报,2002,51(2):367-371.
APA 卢励吾.,张砚华.,徐遵图.,徐仲英.,王占国.,...&Ge Weikun.(2002).快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响.物理学报,51(2),367-371.
MLA 卢励吾,et al."快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响".物理学报 51.2(2002):367-371.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4992.pdf(356KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[卢励吾]'s Articles
[张砚华]'s Articles
[徐遵图]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[卢励吾]'s Articles
[张砚华]'s Articles
[徐遵图]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[卢励吾]'s Articles
[张砚华]'s Articles
[徐遵图]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.