SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
卢励吾; 张砚华; Wang J; Ge Weikun
2002
Source Publication物理学报
Volume51Issue:2Pages:372-376
Abstract应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors (P-HEMT)结构深中心行为。样品的DLTS谱表明,在HEMT和P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10~(15)-10~(17)cm~(-3))和俘获截面(10~(-16)cm~2)的近禁带中部电子争阱。它们可能与AlGaAs层的氧含量有关。同时还观察到P-HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs/InGaAs/GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动。其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具。
metadata_83中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展项目(批准号:G2 683),香港科技大学资助项目(批准号:HKUST6135/97P)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1146134
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:5[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17889
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
卢励吾,张砚华,Wang J,等. 分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别[J]. 物理学报,2002,51(2):372-376.
APA 卢励吾,张砚华,Wang J,&Ge Weikun.(2002).分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别.物理学报,51(2),372-376.
MLA 卢励吾,et al."分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别".物理学报 51.2(2002):372-376.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4991.pdf(360KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[卢励吾]'s Articles
[张砚华]'s Articles
[Wang J]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[卢励吾]'s Articles
[张砚华]'s Articles
[Wang J]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[卢励吾]'s Articles
[张砚华]'s Articles
[Wang J]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.