SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
李昱峰; 韩培德; 陈振; 黎大兵; 王占国; 刘祥林; 陆大成; 王晓军; 汪度
2003
Source Publication发光学报
Volume24Issue:4Pages:380-384
Abstract降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(6 86 1),国家重点基础研究专项经费(G2 683)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1165795
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17871
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李昱峰,韩培德,陈振,等. InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究[J]. 发光学报,2003,24(4):380-384.
APA 李昱峰.,韩培德.,陈振.,黎大兵.,王占国.,...&汪度.(2003).InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究.发光学报,24(4),380-384.
MLA 李昱峰,et al."InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究".发光学报 24.4(2003):380-384.
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