SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华
2003
Source Publication北京航空航天大学学报
Volume29Issue:9Pages:753-758
Abstract发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现:掺磷的nc-Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为33~°。掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47~°。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到:较高的衬底温度引起序参量改变,使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长。适当的电场作用引起序参量改变,导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的身由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长。
metadata_83北京航空航天大学理学院;北京航空航天大学宇航学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization863计划资助项目,高校博士点基金资助项目(2 22 6 37)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1167976
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17867
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韦文生,王天民,张春熹,等. 掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长[J]. 北京航空航天大学学报,2003,29(9):753-758.
APA 韦文生,王天民,张春熹,&李国华.(2003).掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长.北京航空航天大学学报,29(9),753-758.
MLA 韦文生,et al."掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长".北京航空航天大学学报 29.9(2003):753-758.
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