掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
	韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华
	2003
Source Publication	北京航空航天大学学报
Volume	29 Issue:9 Pages:753-758
Abstract	发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nc-Si）有择优生长的趋势。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现：掺磷的nc-Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为33~°。掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47~°。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到：较高的衬底温度引起序参量改变，使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长。适当的电场作用引起序参量改变，导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的身由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长。
metadata_83	北京航空航天大学理学院;北京航空航天大学宇航学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	863计划资助项目,高校博士点基金资助项目（2 22 6 37）
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1167976
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17867
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	韦文生,王天民,张春熹,等. 掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长[J]. 北京航空航天大学学报,2003,29(9):753-758.
APA	韦文生,王天民,张春熹,&李国华.(2003).掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长.北京航空航天大学学报,29(9),753-758.
MLA	韦文生,et al."掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长".北京航空航天大学学报 29.9(2003):753-758.

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