SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
自组织生长InAs量子点的发光性质研究
蔡加法; 孔令民; 吴正云; 陈主荣; 牛智川
2003
Source Publication厦门大学学报. 自然科学版
Volume42Issue:6Pages:732-735
Abstract通过对加InGaAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降。
metadata_83厦门大学物理学系;中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization福建省自然科学重点基金(A992 1)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1175016
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17863
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
蔡加法,孔令民,吴正云,等. 自组织生长InAs量子点的发光性质研究[J]. 厦门大学学报. 自然科学版,2003,42(6):732-735.
APA 蔡加法,孔令民,吴正云,陈主荣,&牛智川.(2003).自组织生长InAs量子点的发光性质研究.厦门大学学报. 自然科学版,42(6),732-735.
MLA 蔡加法,et al."自组织生长InAs量子点的发光性质研究".厦门大学学报. 自然科学版 42.6(2003):732-735.
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