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| RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 | |
| 胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 | |
| 2003 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 24Issue:6Pages:602-605 |
| Abstract | 用射频等离子体辅助分子束外延技术（RF-MBE）在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料。所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2 * 10~(18)cm~(-3)，相应的电子迁移率为221cm~2/(V·s);1μm厚的GaN外延膜的（0002）X射线衍射摇摆曲线半高宽（FWHM）为7’；极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm~2/(V·s)，相应的二维电子气面密度为7.5 * 10~(12)cm~(-2)。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所材料科学中心 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 中国科学院基金,国家重点基础研究发展规划(No.G2 683)资助项目,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1176395 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17859 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 胡国新,王晓亮,孙殿照,等. RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]. 半导体学报,2003,24(6):602-605. |
| APA | 胡国新.,王晓亮.,孙殿照.,王军喜.,刘宏新.,...&林兰英.(2003).RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料.半导体学报,24(6),602-605. |
| MLA | 胡国新,et al."RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料".半导体学报 24.6(2003):602-605. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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