SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
2003
Source Publication半导体学报
Volume24Issue:6Pages:602-605
Abstract用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料。所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2 * 10~(18)cm~(-3),相应的电子迁移率为221cm~2/(V·s);1μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7’;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm~2/(V·s),相应的二维电子气面密度为7.5 * 10~(12)cm~(-2)。
metadata_83中科院半导体所材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国科学院基金,国家重点基础研究发展规划(No.G2 683)资助项目,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1176395
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17859
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
胡国新,王晓亮,孙殿照,等. RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]. 半导体学报,2003,24(6):602-605.
APA 胡国新.,王晓亮.,孙殿照.,王军喜.,刘宏新.,...&林兰英.(2003).RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料.半导体学报,24(6),602-605.
MLA 胡国新,et al."RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料".半导体学报 24.6(2003):602-605.
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