SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能
李建明; 种明; 衡扬; 徐嘉东
2003
Source Publication光电子技术
Volume23Issue:4Pages:221-223
Abstract本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作。基于倾斜光电转换器件的思想,倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角,从而使红外光在器件内形成多次全反射。这种内部全反射增加了光在器件内的光程,使得光在器件内的吸收得以增加。从采光的角度上发现,倾斜多晶硅光电转换器件可使器件的光电转换效率提高15%。此外,还发现了由倾斜器件造成开路电压稍微减小的现象并给予了解释。
metadata_83中国科学院半导体研究所;北京市太阳能研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国科学院院长基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1177948
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17853
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李建明,种明,衡扬,等. 通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能[J]. 光电子技术,2003,23(4):221-223.
APA 李建明,种明,衡扬,&徐嘉东.(2003).通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能.光电子技术,23(4),221-223.
MLA 李建明,et al."通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能".光电子技术 23.4(2003):221-223.
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