Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究 | |
| 武光明; 朱江; 李月法; 贾锐 | |
| 2003 | |
| Source Publication | 材料研究学报
 |
| Volume | 17Issue:6Pages:566-570 |
| Abstract | 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点(线)；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。 |
| metadata_83 | 北京石油化工学院;中国科学院半导体研究所;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目69876 37 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1203957 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17839 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 武光明,朱江,李月法,等. InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究[J]. 材料研究学报,2003,17(6):566-570. |
| APA | 武光明,朱江,李月法,&贾锐.(2003).InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究.材料研究学报,17(6),566-570. |
| MLA | 武光明,et al."InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究".材料研究学报 17.6(2003):566-570. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4966.pdf（280KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment