SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究
武光明; 朱江; 李月法; 贾锐
2003
Source Publication材料研究学报
Volume17Issue:6Pages:566-570
Abstract在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质。结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。
metadata_83北京石油化工学院;中国科学院半导体研究所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目69876 37
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1203957
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17839
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
武光明,朱江,李月法,等. InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究[J]. 材料研究学报,2003,17(6):566-570.
APA 武光明,朱江,李月法,&贾锐.(2003).InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究.材料研究学报,17(6),566-570.
MLA 武光明,et al."InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究".材料研究学报 17.6(2003):566-570.
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