SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究
赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如
2003
Source Publication人工晶体学报
Volume32Issue:5Pages:460-463
Abstract通过对高压液封直接法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适全生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。
metadata_83中科院半导体所材料科学中心
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1205042
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17835
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵有文,段满龙,孙文荣,等. 提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究[J]. 人工晶体学报,2003,32(5):460-463.
APA 赵有文.,段满龙.,孙文荣.,杨子祥.,焦景华.,...&吕旭如.(2003).提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究.人工晶体学报,32(5),460-463.
MLA 赵有文,et al."提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究".人工晶体学报 32.5(2003):460-463.
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