用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模
	王勇刚; 马骁宇; 潭满清; 张敬明
	2003
Source Publication	激光与光电子学进展
Volume	40 Issue:12 Pages:18-20
Abstract	较全面介绍了几种掺钕激光晶体的光学性质。就掺钕激光晶体主要的三个波长探讨了用一种新型的吸收体（半导体可饱和吸收镜）进行被动调Q和锁模。
metadata_83	中国科学院半导体所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1208105
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17825
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王勇刚,马骁宇,潭满清,等. 用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模[J]. 激光与光电子学进展,2003,40(12):18-20.
APA	王勇刚,马骁宇,潭满清,&张敬明.(2003).用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模.激光与光电子学进展,40(12),18-20.
MLA	王勇刚,et al."用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模".激光与光电子学进展 40.12(2003):18-20.

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